Yarı İletkenler ve Modern Teknoloji — Bölüm 1–2 Kavram Ayrımı

Bir öz yarı iletkenin R-T grafiğinde sıcaklık 300 K’den 340 K’ye çıkarken direnç 12 kΩ’dan 5 kΩ’𝑎 iniyor. İnceleme kaydındaki belirleyici kanıt şudur: Artan sıcaklık daha çok taşıyıcı oluşturduğu için ölçülen iletkenlik artışı ve direnç azalışı yarı iletken davranışıyla uyumludur. Karar verirken yalnız anahtar sözcüğü değil; verilen nicelik, işlem, neden-sonuç veya sınır koşulunu Yarı iletken odağıyla birlikte sınamak gerekir.

1. A “Artan sıcaklık daha çok taşıyıcı oluşturduğu için ölçülen iletkenlik artışı ve direnç azalışı yarı iletken davranışıyla uyumludur.” kanıtı Yarı iletken kavramıyla açıklanır: Yarı iletken, elektriksel iletkenliği yalıtkanlarla iyi iletkenler arasında olan ve iletkenliği sıcaklık, ışık ya da kontrollü katkılama ile değiştirilebilen malzemedir. Enerji bantları arasındaki sonlu fakat aşılabilir aralık, taşıyıcı oluşumunu anlamaya yardım eder.
2. B “Artan sıcaklık daha çok taşıyıcı oluşturduğu için ölçülen iletkenlik artışı ve direnç azalışı yarı iletken davranışıyla uyumludur.” kanıtı P-N birleşimi kavramıyla açıklanır: P ve N tipi yarı iletkenler temas ettiğinde çoğunluk taşıyıcılarının yayılması ve birleşmesi, hareketli taşıyıcı bakımından fakir bir tükenim bölgesi ile yerleşik elektrik alan oluşturur. İleri kutuplama engeli daraltıp akımı kolaylaştırır; ters kutuplama engeli genişletir.
3. C “Artan sıcaklık daha çok taşıyıcı oluşturduğu için ölçülen iletkenlik artışı ve direnç azalışı yarı iletken davranışıyla uyumludur.” kanıtı Güneş hücresi kavramıyla açıklanır: Güneş hücresi, yeterli enerjili ışığın yarı iletkende elektron-boşluk çiftleri oluşturması ve birleşimdeki elektrik alanın taşıyıcıları ayırmasıyla ışık enerjisini elektrik enerjisine dönüştürür. Çıkış gücü P=VI ile, verim ise elektrik çıkışının gelen ışık gücüne oranıyla değerlendirilir.
4. D “Artan sıcaklık daha çok taşıyıcı oluşturduğu için ölçülen iletkenlik artışı ve direnç azalışı yarı iletken davranışıyla uyumludur.” kanıtı şu yorumu doğrular: Yarı iletkenin iletkenliği her koşulda iletken ve yalıtkan değerlerinin tam aritmetik ortalamasıdır.
5. E “Artan sıcaklık daha çok taşıyıcı oluşturduğu için ölçülen iletkenlik artışı ve direnç azalışı yarı iletken davranışıyla uyumludur.” kanıtı Diyot kavramıyla açıklanır: Diyot, P-N birleşiminin yönlü akım davranışından yararlanan iki uçlu yarı iletken elemandır. Basit devre modelinde ileri yönde akımı geçirir, ters yönde büyük ölçüde sınırlar; bu özellik alternatif işareti tek yönlü darbeli işarete dönüştürmede kullanılabilir.

Birleşim çevresinde N tarafında artı donör iyonları, P tarafında eksi akseptör iyonları ve hareketli taşıyıcı bakımından fakir şerit çiziliyor. İnceleme kaydındaki belirleyici kanıt şudur: Sabit yükler N’den P’ye yönlü yerleşik alanın ve tükenim bölgesinin göstergesidir. Karar verirken yalnız anahtar sözcüğü değil; verilen nicelik, işlem, neden-sonuç veya sınır koşulunu P-N birleşimi odağıyla birlikte sınamak gerekir.

1. A “Sabit yükler N’den P’ye yönlü yerleşik alanın ve tükenim bölgesinin göstergesidir.” kanıtı şu yorumu doğrular: P ve N bölgeleri temas ettiğinde sınırda sınırsız sayıda serbest taşıyıcı birikir.
2. B “Sabit yükler N’den P’ye yönlü yerleşik alanın ve tükenim bölgesinin göstergesidir.” kanıtı P-N birleşimi kavramıyla açıklanır: P ve N tipi yarı iletkenler temas ettiğinde çoğunluk taşıyıcılarının yayılması ve birleşmesi, hareketli taşıyıcı bakımından fakir bir tükenim bölgesi ile yerleşik elektrik alan oluşturur. İleri kutuplama engeli daraltıp akımı kolaylaştırır; ters kutuplama engeli genişletir.
3. C “Sabit yükler N’den P’ye yönlü yerleşik alanın ve tükenim bölgesinin göstergesidir.” kanıtı Güneş hücresi kavramıyla açıklanır: Güneş hücresi, yeterli enerjili ışığın yarı iletkende elektron-boşluk çiftleri oluşturması ve birleşimdeki elektrik alanın taşıyıcıları ayırmasıyla ışık enerjisini elektrik enerjisine dönüştürür. Çıkış gücü P=VI ile, verim ise elektrik çıkışının gelen ışık gücüne oranıyla değerlendirilir.
4. D “Sabit yükler N’den P’ye yönlü yerleşik alanın ve tükenim bölgesinin göstergesidir.” kanıtı Diyot kavramıyla açıklanır: Diyot, P-N birleşiminin yönlü akım davranışından yararlanan iki uçlu yarı iletken elemandır. Basit devre modelinde ileri yönde akımı geçirir, ters yönde büyük ölçüde sınırlar; bu özellik alternatif işareti tek yönlü darbeli işarete dönüştürmede kullanılabilir.
5. E “Sabit yükler N’den P’ye yönlü yerleşik alanın ve tükenim bölgesinin göstergesidir.” kanıtı Yarı iletken kavramıyla açıklanır: Yarı iletken, elektriksel iletkenliği yalıtkanlarla iyi iletkenler arasında olan ve iletkenliği sıcaklık, ışık ya da kontrollü katkılama ile değiştirilebilen malzemedir. Enerji bantları arasındaki sonlu fakat aşılabilir aralık, taşıyıcı oluşumunu anlamaya yardım eder.

𝐴, 𝐵 ve 𝐶 malzemelerinin özdirençleri 10⁻⁸, 10² ve 10¹⁴ Ω·m olarak tabloda veriliyor. İnceleme kaydındaki belirleyici kanıt şudur: 𝐵 değeri iletken ile yalıtkan uçlar arasındadır; tek başına ad değil ölçüm ölçeği sınıflandırmayı destekler. Karar verirken yalnız anahtar sözcüğü değil; verilen nicelik, işlem, neden-sonuç veya sınır koşulunu Yarı iletken odağıyla birlikte sınamak gerekir.

1. A “𝐵 değeri iletken ile yalıtkan uçlar arasındadır; tek başına ad değil ölçüm ölçeği sınıflandırmayı destekler.” kanıtı P-N birleşimi kavramıyla açıklanır: P ve N tipi yarı iletkenler temas ettiğinde çoğunluk taşıyıcılarının yayılması ve birleşmesi, hareketli taşıyıcı bakımından fakir bir tükenim bölgesi ile yerleşik elektrik alan oluşturur. İleri kutuplama engeli daraltıp akımı kolaylaştırır; ters kutuplama engeli genişletir.
2. B “𝐵 değeri iletken ile yalıtkan uçlar arasındadır; tek başına ad değil ölçüm ölçeği sınıflandırmayı destekler.” kanıtı Güneş hücresi kavramıyla açıklanır: Güneş hücresi, yeterli enerjili ışığın yarı iletkende elektron-boşluk çiftleri oluşturması ve birleşimdeki elektrik alanın taşıyıcıları ayırmasıyla ışık enerjisini elektrik enerjisine dönüştürür. Çıkış gücü P=VI ile, verim ise elektrik çıkışının gelen ışık gücüne oranıyla değerlendirilir.
3. C “𝐵 değeri iletken ile yalıtkan uçlar arasındadır; tek başına ad değil ölçüm ölçeği sınıflandırmayı destekler.” kanıtı Diyot kavramıyla açıklanır: Diyot, P-N birleşiminin yönlü akım davranışından yararlanan iki uçlu yarı iletken elemandır. Basit devre modelinde ileri yönde akımı geçirir, ters yönde büyük ölçüde sınırlar; bu özellik alternatif işareti tek yönlü darbeli işarete dönüştürmede kullanılabilir.
4. D “𝐵 değeri iletken ile yalıtkan uçlar arasındadır; tek başına ad değil ölçüm ölçeği sınıflandırmayı destekler.” kanıtı Yarı iletken kavramıyla açıklanır: Yarı iletken, elektriksel iletkenliği yalıtkanlarla iyi iletkenler arasında olan ve iletkenliği sıcaklık, ışık ya da kontrollü katkılama ile değiştirilebilen malzemedir. Enerji bantları arasındaki sonlu fakat aşılabilir aralık, taşıyıcı oluşumunu anlamaya yardım eder.
5. E “𝐵 değeri iletken ile yalıtkan uçlar arasındadır; tek başına ad değil ölçüm ölçeği sınıflandırmayı destekler.” kanıtı şu yorumu doğrular: Sıcaklık artınca yarı iletkenin direnci metal gibi her zaman artar.

Kaynağın artı ucu P bölgesine, eksi ucu N bölgesine bağlanıyor; iki olası tükenim genişliği gösteriliyor. İnceleme kaydındaki belirleyici kanıt şudur: Dış gerilim engeli azalttığı için daha dar tükenim bölgesi ileri kutuplamaya uygundur. Karar verirken yalnız anahtar sözcüğü değil; verilen nicelik, işlem, neden-sonuç veya sınır koşulunu P-N birleşimi odağıyla birlikte sınamak gerekir.

1. A “Dış gerilim engeli azalttığı için daha dar tükenim bölgesi ileri kutuplamaya uygundur.” kanıtı P-N birleşimi kavramıyla açıklanır: P ve N tipi yarı iletkenler temas ettiğinde çoğunluk taşıyıcılarının yayılması ve birleşmesi, hareketli taşıyıcı bakımından fakir bir tükenim bölgesi ile yerleşik elektrik alan oluşturur. İleri kutuplama engeli daraltıp akımı kolaylaştırır; ters kutuplama engeli genişletir.
2. B “Dış gerilim engeli azalttığı için daha dar tükenim bölgesi ileri kutuplamaya uygundur.” kanıtı Diyot kavramıyla açıklanır: Diyot, P-N birleşiminin yönlü akım davranışından yararlanan iki uçlu yarı iletken elemandır. Basit devre modelinde ileri yönde akımı geçirir, ters yönde büyük ölçüde sınırlar; bu özellik alternatif işareti tek yönlü darbeli işarete dönüştürmede kullanılabilir.
3. C “Dış gerilim engeli azalttığı için daha dar tükenim bölgesi ileri kutuplamaya uygundur.” kanıtı şu yorumu doğrular: Tükenim bölgesinde hiçbir elektrik alan veya sabit iyon yükü bulunmaz.
4. D “Dış gerilim engeli azalttığı için daha dar tükenim bölgesi ileri kutuplamaya uygundur.” kanıtı Yarı iletken kavramıyla açıklanır: Yarı iletken, elektriksel iletkenliği yalıtkanlarla iyi iletkenler arasında olan ve iletkenliği sıcaklık, ışık ya da kontrollü katkılama ile değiştirilebilen malzemedir. Enerji bantları arasındaki sonlu fakat aşılabilir aralık, taşıyıcı oluşumunu anlamaya yardım eder.
5. E “Dış gerilim engeli azalttığı için daha dar tükenim bölgesi ileri kutuplamaya uygundur.” kanıtı Güneş hücresi kavramıyla açıklanır: Güneş hücresi, yeterli enerjili ışığın yarı iletkende elektron-boşluk çiftleri oluşturması ve birleşimdeki elektrik alanın taşıyıcıları ayırmasıyla ışık enerjisini elektrik enerjisine dönüştürür. Çıkış gücü P=VI ile, verim ise elektrik çıkışının gelen ışık gücüne oranıyla değerlendirilir.

Değerlik ve iletim bandı arasında küçük bir Eg aralığı çiziliyor; gelen foton enerjisi Eg değerinden büyük gösteriliyor. İnceleme kaydındaki belirleyici kanıt şudur: Foton bir elektronu iletim bandına çıkarıp elektron-boşluk çifti oluşturabilir. Karar verirken yalnız anahtar sözcüğü değil; verilen nicelik, işlem, neden-sonuç veya sınır koşulunu Yarı iletken odağıyla birlikte sınamak gerekir.

1. A “Foton bir elektronu iletim bandına çıkarıp elektron-boşluk çifti oluşturabilir.” kanıtı P-N birleşimi kavramıyla açıklanır: P ve N tipi yarı iletkenler temas ettiğinde çoğunluk taşıyıcılarının yayılması ve birleşmesi, hareketli taşıyıcı bakımından fakir bir tükenim bölgesi ile yerleşik elektrik alan oluşturur. İleri kutuplama engeli daraltıp akımı kolaylaştırır; ters kutuplama engeli genişletir.
2. B “Foton bir elektronu iletim bandına çıkarıp elektron-boşluk çifti oluşturabilir.” kanıtı şu yorumu doğrular: Katkılama yarı iletkeni atom yapısı bütünüyle değişmiş sıradan bir metale dönüştürür.
3. C “Foton bir elektronu iletim bandına çıkarıp elektron-boşluk çifti oluşturabilir.” kanıtı Diyot kavramıyla açıklanır: Diyot, P-N birleşiminin yönlü akım davranışından yararlanan iki uçlu yarı iletken elemandır. Basit devre modelinde ileri yönde akımı geçirir, ters yönde büyük ölçüde sınırlar; bu özellik alternatif işareti tek yönlü darbeli işarete dönüştürmede kullanılabilir.
4. D “Foton bir elektronu iletim bandına çıkarıp elektron-boşluk çifti oluşturabilir.” kanıtı Yarı iletken kavramıyla açıklanır: Yarı iletken, elektriksel iletkenliği yalıtkanlarla iyi iletkenler arasında olan ve iletkenliği sıcaklık, ışık ya da kontrollü katkılama ile değiştirilebilen malzemedir. Enerji bantları arasındaki sonlu fakat aşılabilir aralık, taşıyıcı oluşumunu anlamaya yardım eder.
5. E “Foton bir elektronu iletim bandına çıkarıp elektron-boşluk çifti oluşturabilir.” kanıtı Güneş hücresi kavramıyla açıklanır: Güneş hücresi, yeterli enerjili ışığın yarı iletkende elektron-boşluk çiftleri oluşturması ve birleşimdeki elektrik alanın taşıyıcıları ayırmasıyla ışık enerjisini elektrik enerjisine dönüştürür. Çıkış gücü P=VI ile, verim ise elektrik çıkışının gelen ışık gücüne oranıyla değerlendirilir.

Kaynağın artı ucu N bölgesine, eksi ucu P bölgesine bağlanıyor. İnceleme kaydındaki belirleyici kanıt şudur: Dış alan yerleşik engeli büyütür, tükenim bölgesini genişletir ve çoğunluk taşıyıcı akımını sınırlar. Karar verirken yalnız anahtar sözcüğü değil; verilen nicelik, işlem, neden-sonuç veya sınır koşulunu P-N birleşimi odağıyla birlikte sınamak gerekir.

1. A “Dış alan yerleşik engeli büyütür, tükenim bölgesini genişletir ve çoğunluk taşıyıcı akımını sınırlar.” kanıtı şu yorumu doğrular: İleri kutuplama P tarafını kaynağın eksi, N tarafını artı ucuna bağlamaktır.
2. B “Dış alan yerleşik engeli büyütür, tükenim bölgesini genişletir ve çoğunluk taşıyıcı akımını sınırlar.” kanıtı Yarı iletken kavramıyla açıklanır: Yarı iletken, elektriksel iletkenliği yalıtkanlarla iyi iletkenler arasında olan ve iletkenliği sıcaklık, ışık ya da kontrollü katkılama ile değiştirilebilen malzemedir. Enerji bantları arasındaki sonlu fakat aşılabilir aralık, taşıyıcı oluşumunu anlamaya yardım eder.
3. C “Dış alan yerleşik engeli büyütür, tükenim bölgesini genişletir ve çoğunluk taşıyıcı akımını sınırlar.” kanıtı Diyot kavramıyla açıklanır: Diyot, P-N birleşiminin yönlü akım davranışından yararlanan iki uçlu yarı iletken elemandır. Basit devre modelinde ileri yönde akımı geçirir, ters yönde büyük ölçüde sınırlar; bu özellik alternatif işareti tek yönlü darbeli işarete dönüştürmede kullanılabilir.
4. D “Dış alan yerleşik engeli büyütür, tükenim bölgesini genişletir ve çoğunluk taşıyıcı akımını sınırlar.” kanıtı Güneş hücresi kavramıyla açıklanır: Güneş hücresi, yeterli enerjili ışığın yarı iletkende elektron-boşluk çiftleri oluşturması ve birleşimdeki elektrik alanın taşıyıcıları ayırmasıyla ışık enerjisini elektrik enerjisine dönüştürür. Çıkış gücü P=VI ile, verim ise elektrik çıkışının gelen ışık gücüne oranıyla değerlendirilir.
5. E “Dış alan yerleşik engeli büyütür, tükenim bölgesini genişletir ve çoğunluk taşıyıcı akımını sınırlar.” kanıtı P-N birleşimi kavramıyla açıklanır: P ve N tipi yarı iletkenler temas ettiğinde çoğunluk taşıyıcılarının yayılması ve birleşmesi, hareketli taşıyıcı bakımından fakir bir tükenim bölgesi ile yerleşik elektrik alan oluşturur. İleri kutuplama engeli daraltıp akımı kolaylaştırır; ters kutuplama engeli genişletir.

Saf örnekte 10 birim elektron ve 10 birim boşluk, katkılı X örneğinde 1000 birim elektron ve 12 birim boşluk veriliyor. İnceleme kaydındaki belirleyici kanıt şudur: X örneğinde elektronlar çoğunluk taşıyıcısıdır ve N tipi davranış baskındır. Karar verirken yalnız anahtar sözcüğü değil; verilen nicelik, işlem, neden-sonuç veya sınır koşulunu Yarı iletken odağıyla birlikte sınamak gerekir.

1. A “X örneğinde elektronlar çoğunluk taşıyıcısıdır ve N tipi davranış baskındır.” kanıtı Yarı iletken kavramıyla açıklanır: Yarı iletken, elektriksel iletkenliği yalıtkanlarla iyi iletkenler arasında olan ve iletkenliği sıcaklık, ışık ya da kontrollü katkılama ile değiştirilebilen malzemedir. Enerji bantları arasındaki sonlu fakat aşılabilir aralık, taşıyıcı oluşumunu anlamaya yardım eder.
2. B “X örneğinde elektronlar çoğunluk taşıyıcısıdır ve N tipi davranış baskındır.” kanıtı şu yorumu doğrular: Saf yarı iletkende sıcaklık sıfırdan büyük olsa bile hiçbir hareketli taşıyıcı oluşamaz.
3. C “X örneğinde elektronlar çoğunluk taşıyıcısıdır ve N tipi davranış baskındır.” kanıtı P-N birleşimi kavramıyla açıklanır: P ve N tipi yarı iletkenler temas ettiğinde çoğunluk taşıyıcılarının yayılması ve birleşmesi, hareketli taşıyıcı bakımından fakir bir tükenim bölgesi ile yerleşik elektrik alan oluşturur. İleri kutuplama engeli daraltıp akımı kolaylaştırır; ters kutuplama engeli genişletir.
4. D “X örneğinde elektronlar çoğunluk taşıyıcısıdır ve N tipi davranış baskındır.” kanıtı Güneş hücresi kavramıyla açıklanır: Güneş hücresi, yeterli enerjili ışığın yarı iletkende elektron-boşluk çiftleri oluşturması ve birleşimdeki elektrik alanın taşıyıcıları ayırmasıyla ışık enerjisini elektrik enerjisine dönüştürür. Çıkış gücü P=VI ile, verim ise elektrik çıkışının gelen ışık gücüne oranıyla değerlendirilir.
5. E “X örneğinde elektronlar çoğunluk taşıyıcısıdır ve N tipi davranış baskındır.” kanıtı Diyot kavramıyla açıklanır: Diyot, P-N birleşiminin yönlü akım davranışından yararlanan iki uçlu yarı iletken elemandır. Basit devre modelinde ileri yönde akımı geçirir, ters yönde büyük ölçüde sınırlar; bu özellik alternatif işareti tek yönlü darbeli işarete dönüştürmede kullanılabilir.

Uygulanan gerilim -3, 0 ve +0,7 V iken tükenim genişlikleri 9, 5 ve 2 birim ölçülüyor; artı işareti ileri yön olarak tanımlanıyor. İnceleme kaydındaki belirleyici kanıt şudur: Veriler ters gerilimde engelin genişlediğini, ileri gerilimde daraldığını gösterir. Karar verirken yalnız anahtar sözcüğü değil; verilen nicelik, işlem, neden-sonuç veya sınır koşulunu P-N birleşimi odağıyla birlikte sınamak gerekir.

1. A “Veriler ters gerilimde engelin genişlediğini, ileri gerilimde daraldığını gösterir.” kanıtı P-N birleşimi kavramıyla açıklanır: P ve N tipi yarı iletkenler temas ettiğinde çoğunluk taşıyıcılarının yayılması ve birleşmesi, hareketli taşıyıcı bakımından fakir bir tükenim bölgesi ile yerleşik elektrik alan oluşturur. İleri kutuplama engeli daraltıp akımı kolaylaştırır; ters kutuplama engeli genişletir.
2. B “Veriler ters gerilimde engelin genişlediğini, ileri gerilimde daraldığını gösterir.” kanıtı Yarı iletken kavramıyla açıklanır: Yarı iletken, elektriksel iletkenliği yalıtkanlarla iyi iletkenler arasında olan ve iletkenliği sıcaklık, ışık ya da kontrollü katkılama ile değiştirilebilen malzemedir. Enerji bantları arasındaki sonlu fakat aşılabilir aralık, taşıyıcı oluşumunu anlamaya yardım eder.
3. C “Veriler ters gerilimde engelin genişlediğini, ileri gerilimde daraldığını gösterir.” kanıtı Diyot kavramıyla açıklanır: Diyot, P-N birleşiminin yönlü akım davranışından yararlanan iki uçlu yarı iletken elemandır. Basit devre modelinde ileri yönde akımı geçirir, ters yönde büyük ölçüde sınırlar; bu özellik alternatif işareti tek yönlü darbeli işarete dönüştürmede kullanılabilir.
4. D “Veriler ters gerilimde engelin genişlediğini, ileri gerilimde daraldığını gösterir.” kanıtı Güneş hücresi kavramıyla açıklanır: Güneş hücresi, yeterli enerjili ışığın yarı iletkende elektron-boşluk çiftleri oluşturması ve birleşimdeki elektrik alanın taşıyıcıları ayırmasıyla ışık enerjisini elektrik enerjisine dönüştürür. Çıkış gücü P=VI ile, verim ise elektrik çıkışının gelen ışık gücüne oranıyla değerlendirilir.
5. E “Veriler ters gerilimde engelin genişlediğini, ileri gerilimde daraldığını gösterir.” kanıtı şu yorumu doğrular: Ters kutuplama tükenim bölgesini daraltarak çoğunluk taşıyıcı akımını büyütür.

Yarı iletken algılayıcının direnci karanlıkta 50 kΩ, aydınlıkta 8 kΩ ölçülüyor. İnceleme kaydındaki belirleyici kanıt şudur: Işıkla oluşan ek taşıyıcılar iletkenliği artırıp ölçülen direnci azaltır. Karar verirken yalnız anahtar sözcüğü değil; verilen nicelik, işlem, neden-sonuç veya sınır koşulunu Yarı iletken odağıyla birlikte sınamak gerekir.

1. A “Işıkla oluşan ek taşıyıcılar iletkenliği artırıp ölçülen direnci azaltır.” kanıtı Diyot kavramıyla açıklanır: Diyot, P-N birleşiminin yönlü akım davranışından yararlanan iki uçlu yarı iletken elemandır. Basit devre modelinde ileri yönde akımı geçirir, ters yönde büyük ölçüde sınırlar; bu özellik alternatif işareti tek yönlü darbeli işarete dönüştürmede kullanılabilir.
2. B “Işıkla oluşan ek taşıyıcılar iletkenliği artırıp ölçülen direnci azaltır.” kanıtı Güneş hücresi kavramıyla açıklanır: Güneş hücresi, yeterli enerjili ışığın yarı iletkende elektron-boşluk çiftleri oluşturması ve birleşimdeki elektrik alanın taşıyıcıları ayırmasıyla ışık enerjisini elektrik enerjisine dönüştürür. Çıkış gücü P=VI ile, verim ise elektrik çıkışının gelen ışık gücüne oranıyla değerlendirilir.
3. C “Işıkla oluşan ek taşıyıcılar iletkenliği artırıp ölçülen direnci azaltır.” kanıtı Yarı iletken kavramıyla açıklanır: Yarı iletken, elektriksel iletkenliği yalıtkanlarla iyi iletkenler arasında olan ve iletkenliği sıcaklık, ışık ya da kontrollü katkılama ile değiştirilebilen malzemedir. Enerji bantları arasındaki sonlu fakat aşılabilir aralık, taşıyıcı oluşumunu anlamaya yardım eder.
4. D “Işıkla oluşan ek taşıyıcılar iletkenliği artırıp ölçülen direnci azaltır.” kanıtı şu yorumu doğrular: Yarı iletkenin değerlik ve iletim bantları arasında hiçbir enerji aralığı yoktur.
5. E “Işıkla oluşan ek taşıyıcılar iletkenliği artırıp ölçülen direnci azaltır.” kanıtı P-N birleşimi kavramıyla açıklanır: P ve N tipi yarı iletkenler temas ettiğinde çoğunluk taşıyıcılarının yayılması ve birleşmesi, hareketli taşıyıcı bakımından fakir bir tükenim bölgesi ile yerleşik elektrik alan oluşturur. İleri kutuplama engeli daraltıp akımı kolaylaştırır; ters kutuplama engeli genişletir.

I-V grafiğinde pozitif yönde belirli bölgeden sonra akım hızla artıyor, negatif yönde küçük kalıyor. İnceleme kaydındaki belirleyici kanıt şudur: Asimetrik eğri P-N birleşiminin ileri yönde kolay, ters yönde sınırlı iletimini kanıtlar. Karar verirken yalnız anahtar sözcüğü değil; verilen nicelik, işlem, neden-sonuç veya sınır koşulunu P-N birleşimi odağıyla birlikte sınamak gerekir.

1. A “Asimetrik eğri P-N birleşiminin ileri yönde kolay, ters yönde sınırlı iletimini kanıtlar.” kanıtı Yarı iletken kavramıyla açıklanır: Yarı iletken, elektriksel iletkenliği yalıtkanlarla iyi iletkenler arasında olan ve iletkenliği sıcaklık, ışık ya da kontrollü katkılama ile değiştirilebilen malzemedir. Enerji bantları arasındaki sonlu fakat aşılabilir aralık, taşıyıcı oluşumunu anlamaya yardım eder.
2. B “Asimetrik eğri P-N birleşiminin ileri yönde kolay, ters yönde sınırlı iletimini kanıtlar.” kanıtı Güneş hücresi kavramıyla açıklanır: Güneş hücresi, yeterli enerjili ışığın yarı iletkende elektron-boşluk çiftleri oluşturması ve birleşimdeki elektrik alanın taşıyıcıları ayırmasıyla ışık enerjisini elektrik enerjisine dönüştürür. Çıkış gücü P=VI ile, verim ise elektrik çıkışının gelen ışık gücüne oranıyla değerlendirilir.
3. C “Asimetrik eğri P-N birleşiminin ileri yönde kolay, ters yönde sınırlı iletimini kanıtlar.” kanıtı Diyot kavramıyla açıklanır: Diyot, P-N birleşiminin yönlü akım davranışından yararlanan iki uçlu yarı iletken elemandır. Basit devre modelinde ileri yönde akımı geçirir, ters yönde büyük ölçüde sınırlar; bu özellik alternatif işareti tek yönlü darbeli işarete dönüştürmede kullanılabilir.
4. D “Asimetrik eğri P-N birleşiminin ileri yönde kolay, ters yönde sınırlı iletimini kanıtlar.” kanıtı P-N birleşimi kavramıyla açıklanır: P ve N tipi yarı iletkenler temas ettiğinde çoğunluk taşıyıcılarının yayılması ve birleşmesi, hareketli taşıyıcı bakımından fakir bir tükenim bölgesi ile yerleşik elektrik alan oluşturur. İleri kutuplama engeli daraltıp akımı kolaylaştırır; ters kutuplama engeli genişletir.
5. E “Asimetrik eğri P-N birleşiminin ileri yönde kolay, ters yönde sınırlı iletimini kanıtlar.” kanıtı şu yorumu doğrular: Dengeye ulaşan P-N birleşiminde mikroskobik taşıyıcı hareketlerinin tümü tamamen durur.